창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT50GP60B2DQ2G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT50GP60B2DQ2(G) | |
| 카탈로그 페이지 | 1628 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 7® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| IGBT 유형 | PT | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 150A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 190A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 50A | |
| 전력 - 최대 | 625W | |
| 스위칭 에너지 | 465µJ(켜기), 635µJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 165nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 19ns/85ns | |
| 테스트 조건 | 400V, 50A, 4.3 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 변형 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 공급 장치 패키지 | * | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APT50GP60B2DQ2GMI APT50GP60B2DQ2GMI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT50GP60B2DQ2G | |
| 관련 링크 | APT50GP60, APT50GP60B2DQ2G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SS10P4C-M3/86A | DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO277A | SS10P4C-M3/86A.pdf | |
![]() | RT1210DRD071K6L | RES SMD 1.6K OHM 0.5% 1/4W 1210 | RT1210DRD071K6L.pdf | |
![]() | PHP00603E1821BST1 | RES SMD 1.82K OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E1821BST1.pdf | |
![]() | M53270 | M53270 MIT DIP | M53270.pdf | |
![]() | C3113 | C3113 QG TO-92S | C3113.pdf | |
![]() | HJR-21FF-S-H-9V | HJR-21FF-S-H-9V TIANBO DIP | HJR-21FF-S-H-9V.pdf | |
![]() | RS22EI | RS22EI TI TSSOP | RS22EI.pdf | |
![]() | ON1992371B9193 | ON1992371B9193 ORIGINAL SMD or Through Hole | ON1992371B9193.pdf | |
![]() | C1608COG1H120JT000N | C1608COG1H120JT000N TDK SMD or Through Hole | C1608COG1H120JT000N.pdf | |
![]() | 125 330UH | 125 330UH ORIGINAL 125-330UH | 125 330UH.pdf | |
![]() | SAFCT110MCBOTOR04 | SAFCT110MCBOTOR04 MURATA SMD or Through Hole | SAFCT110MCBOTOR04.pdf | |
![]() | PA0805NLT | PA0805NLT PULSE SMD | PA0805NLT.pdf |