창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT5010JVRU2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT5010JVRU2 Power Products Catalog | |
| 카탈로그 페이지 | 1629 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 44A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 22A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 312nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7410pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 450W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APT5010JVRU2MI APT5010JVRU2MI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT5010JVRU2 | |
| 관련 링크 | APT5010, APT5010JVRU2 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | BZT52C5V6S-7-F | DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD323 | BZT52C5V6S-7-F.pdf | |
![]() | CMF5524K900FEEB | RES 24.9K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5524K900FEEB.pdf | |
![]() | 7000-08085-707 0150 | 7000-08085-707 0150 MURR null | 7000-08085-707 0150.pdf | |
![]() | W324X | W324X ORIGINAL SOP-28 | W324X.pdf | |
![]() | 63VXG6800M35X45 | 63VXG6800M35X45 RUBYCON DIP | 63VXG6800M35X45.pdf | |
![]() | RCR20G121JS | RCR20G121JS TRW SMD or Through Hole | RCR20G121JS.pdf | |
![]() | 1151G-DB | 1151G-DB AGERE QFP | 1151G-DB.pdf | |
![]() | S-1111B25MC-NYATFG | S-1111B25MC-NYATFG ORIGINAL SOT-25 | S-1111B25MC-NYATFG.pdf | |
![]() | 1SS110AT | 1SS110AT ORIGINAL SMD or Through Hole | 1SS110AT.pdf | |
![]() | T515S | T515S MORNSUN SIP | T515S.pdf | |
![]() | SN74HCT273ADB | SN74HCT273ADB TI SSOP | SN74HCT273ADB.pdf | |
![]() | ADG508ALR | ADG508ALR ORIGINAL SMD or Through Hole | ADG508ALR.pdf |