창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT48M80L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APT48M80(B2,L) | |
카탈로그 페이지 | 1629 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 49A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 24A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 305nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9330pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1135W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
공급 장치 패키지 | TO-264 [L] | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | APT48M80LMI APT48M80LMI-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APT48M80L | |
관련 링크 | APT48, APT48M80L 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
BYM12-400HE3/97 | DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB | BYM12-400HE3/97.pdf | ||
SABC504-2E24MCB | SABC504-2E24MCB INFINEON SMD or Through Hole | SABC504-2E24MCB.pdf | ||
MAX2839ETN+ | MAX2839ETN+ MAXIM QFN | MAX2839ETN+.pdf | ||
C1216F | C1216F NEC CAN | C1216F.pdf | ||
C1158HA2 | C1158HA2 NEC SIP | C1158HA2.pdf | ||
M306NMME | M306NMME RENESAS SMD or Through Hole | M306NMME.pdf | ||
TS80C52X2TTC-MIA | TS80C52X2TTC-MIA ATMEL DIP 40 | TS80C52X2TTC-MIA.pdf | ||
HYB25D25161CE-5 | HYB25D25161CE-5 HY SMD or Through Hole | HYB25D25161CE-5.pdf | ||
LR2512-01-1R00F | LR2512-01-1R00F IRC SMD or Through Hole | LR2512-01-1R00F.pdf | ||
K1A431RTE | K1A431RTE ORIGINAL SMD or Through Hole | K1A431RTE.pdf | ||
MAX2502ELMD | MAX2502ELMD MAXIM SMD or Through Hole | MAX2502ELMD.pdf |