창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT47N60BC3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT47N60(B,S)C3 Power Products Catalog | |
| 카탈로그 페이지 | 1629 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 2.7mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 260nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7015pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 417W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 [B] | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APT47N60BC3GMI APT47N60BC3GMI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT47N60BC3G | |
| 관련 링크 | APT47N6, APT47N60BC3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | P0721UCLRP | SIDACTOR SYM 4CHP 65V 500A MS013 | P0721UCLRP.pdf | |
![]() | MA-505 24.5000M-C:ROHS | 24.5MHz ±50ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-505 24.5000M-C:ROHS.pdf | |
![]() | RLB1014-123KL | 12mH Unshielded Wirewound Inductor 40mA 36 Ohm Max Radial | RLB1014-123KL.pdf | |
![]() | KDZ1.3EV | KDZ1.3EV KEC ESC | KDZ1.3EV.pdf | |
![]() | 8901A | 8901A TELEDYNE DIP-40 | 8901A.pdf | |
![]() | DZD3.3-TL-E | DZD3.3-TL-E SANYO SOT-23 | DZD3.3-TL-E.pdf | |
![]() | M52897FP | M52897FP MIT PQFP | M52897FP.pdf | |
![]() | NATT152M6.3V12.5X14JBF | NATT152M6.3V12.5X14JBF NIC SMD or Through Hole | NATT152M6.3V12.5X14JBF.pdf | |
![]() | CC0805KKX7R7BB106 | CC0805KKX7R7BB106 YAGEO SMD | CC0805KKX7R7BB106.pdf | |
![]() | RZ1E107M0811MPG28P | RZ1E107M0811MPG28P SAMWHA SMD or Through Hole | RZ1E107M0811MPG28P.pdf |