Microsemi Corporation APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10
제조업체 부품 번호
APT45GR65BSCD10
제조업 자
제품 카테고리
IGBT - 단일
간단한 설명
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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APT45GR65BSCD10 매개 변수
내부 부품 번호EIS-APT45GR65BSCD10
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서APT45GR65xSCD10
종류이산 소자 반도체 제품
제품군IGBT - 단일
제조업체Microsemi Corporation
계열-
포장벌크
부품 현황신제품
IGBT 유형NPT
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)650V
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)118A
전류 - 콜렉터 펄스(Icm)224A
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 45A
전력 - 최대543W
스위칭 에너지*
입력 유형표준
게이트 전하203nC
Td(온/오프) @ 25°C15ns/100ns
테스트 조건433V, 45A, 4.3옴, 15V
역회복 시간(trr)80ns
패키지/케이스TO-247-3
실장 유형스루홀
공급 장치 패키지TO-247
표준 포장 1
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)APT45GR65BSCD10
관련 링크APT45GR65, APT45GR65BSCD10 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통
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