창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT39F60J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT39F60J | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 8™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 28A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 280nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 480W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | ISOTOP® | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT39F60J | |
| 관련 링크 | APT39, APT39F60J 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | P6KE10CAHE3/73 | TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC DO204AC | P6KE10CAHE3/73.pdf | |
![]() | SSCMLND160MG4A3 | Pressure Sensor 2.32 PSI (16 kPa) Vented Gauge Male - 0.1" (2.47mm) Tube 12 b 8-SMD, J-Lead, Top Port | SSCMLND160MG4A3.pdf | |
![]() | NE570DR2G | NE570DR2G ON SMD or Through Hole | NE570DR2G.pdf | |
![]() | FK104B | FK104B ORIGINAL SMD or Through Hole | FK104B.pdf | |
![]() | TIX621 | TIX621 ORIGINAL CAN | TIX621.pdf | |
![]() | M5M51008BKV-12VLL- | M5M51008BKV-12VLL- MITSUBIS TSOP32 | M5M51008BKV-12VLL-.pdf | |
![]() | 34FLZ-RSM1-TB(LF)(SN) | 34FLZ-RSM1-TB(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | 34FLZ-RSM1-TB(LF)(SN).pdf | |
![]() | W12NA60 | W12NA60 ST TO-3P | W12NA60.pdf | |
![]() | RR0816P-1023-B-T5 | RR0816P-1023-B-T5 SUSUMU SMD | RR0816P-1023-B-T5.pdf | |
![]() | G65SC102P1-2 | G65SC102P1-2 CMD DIP40 | G65SC102P1-2.pdf | |
![]() | OM8373-1854 | OM8373-1854 PHILIPS DIP | OM8373-1854.pdf | |
![]() | XFEI201209-R47J | XFEI201209-R47J XFMRS ORIGINAL | XFEI201209-R47J.pdf |