창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT38F80L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT38F80(B2,L) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 8™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 41A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 240m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 260nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8070pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1040W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-264 [L] | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT38F80L | |
| 관련 링크 | APT38, APT38F80L 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1206A152KBCAT4X | 1500pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A152KBCAT4X.pdf | |
![]() | 416F37033ATT | 37MHz ±30ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37033ATT.pdf | |
![]() | RT0805CRD0730K9L | RES SMD 30.9KOHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRD0730K9L.pdf | |
![]() | TC94B14MFG | TC94B14MFG TOSHIBA QFP | TC94B14MFG.pdf | |
![]() | RB104-DB-DC24 | RB104-DB-DC24 ORIGINAL DIP-4 | RB104-DB-DC24.pdf | |
![]() | 65.536M-5V | 65.536M-5V KOAN SMD-53.2 | 65.536M-5V.pdf | |
![]() | MDT10P53A4S | MDT10P53A4S MDT SOP8 | MDT10P53A4S.pdf | |
![]() | NASU5000 | NASU5000 ORIGINAL QFP-80 | NASU5000.pdf | |
![]() | D36A11.0590ENS | D36A11.0590ENS HOSONIC SMD or Through Hole | D36A11.0590ENS.pdf | |
![]() | MX29F016TC-12 | MX29F016TC-12 MX SMD or Through Hole | MX29F016TC-12.pdf | |
![]() | LDS-AA12RI | LDS-AA12RI LUMEX SMD or Through Hole | LDS-AA12RI.pdf |