창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT36N90BC3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APT36N90BC3G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 초접합 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 18A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 2.9mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 252nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7463pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 390W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 [B] | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APT36N90BC3G | |
관련 링크 | APT36N9, APT36N90BC3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | SZQA6V8XV5T1G | TVS DIODE 4.3VWM 12.5VC SOT553 | SZQA6V8XV5T1G.pdf | |
![]() | BZV55-C9V1,135 | DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD80C | BZV55-C9V1,135.pdf | |
![]() | 2018 1.5A | 2018 1.5A BOURNS SMD or Through Hole | 2018 1.5A.pdf | |
![]() | LM1117CST-3.3 | LM1117CST-3.3 NSC SOT-223 | LM1117CST-3.3.pdf | |
![]() | RD1C337M0811MPG18P | RD1C337M0811MPG18P SAMWHA SMD or Through Hole | RD1C337M0811MPG18P.pdf | |
![]() | EP20K400EFC672-2 | EP20K400EFC672-2 ALTERA BGA | EP20K400EFC672-2.pdf | |
![]() | CS130G24C-E0 | CS130G24C-E0 CML ROHS | CS130G24C-E0.pdf | |
![]() | 2N7002W TEL:82766440 | 2N7002W TEL:82766440 DIODES SMD or Through Hole | 2N7002W TEL:82766440.pdf | |
![]() | 6418311 | 6418311 AMP SMD or Through Hole | 6418311.pdf | |
![]() | CS3013 | CS3013 CS TO-92 | CS3013.pdf | |
![]() | TMM2063AP-10 | TMM2063AP-10 TOSHIBA O-NEWDIP | TMM2063AP-10.pdf |