창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT32F120J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT32F120J Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 8™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 320m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 560nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 18200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 960W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | ISOTOP® | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT32F120J | |
| 관련 링크 | APT32F, APT32F120J 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CGA1A2C0G1H270J030BA | 27pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CGA1A2C0G1H270J030BA.pdf | |
![]() | 08055A580FAT2A | 58pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055A580FAT2A.pdf | |
![]() | 1210R-272H | 2.7µH Unshielded Inductor 411mA 1.1 Ohm Max 2-SMD | 1210R-272H.pdf | |
![]() | 20-668-0011 | 20-668-0011 ORIGINAL SMD or Through Hole | 20-668-0011.pdf | |
![]() | MT9P031 | MT9P031 ORIGINAL LCC48 | MT9P031.pdf | |
![]() | XC5210PQ240C | XC5210PQ240C XILINX QFP | XC5210PQ240C.pdf | |
![]() | FQD3N25 | FQD3N25 FAIRCHILD SOT252 | FQD3N25.pdf | |
![]() | STM32F417IEH6 | STM32F417IEH6 ST 176BGA | STM32F417IEH6.pdf | |
![]() | M24C08RMN6 | M24C08RMN6 ST SO-8 | M24C08RMN6.pdf | |
![]() | HA1-548-9 | HA1-548-9 HAR DIP | HA1-548-9.pdf | |
![]() | UPA675T-E1-A | UPA675T-E1-A NEC SOT-363 | UPA675T-E1-A.pdf | |
![]() | MMUN5237DW1T1G | MMUN5237DW1T1G ON SOT363 | MMUN5237DW1T1G.pdf |