창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT29F100B2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APT29F100(B2,L) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | POWER MOS 8™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 440m옴 @ 16A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 260nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1040W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 변형 | |
공급 장치 패키지 | T-MAX™ [B2] | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APT29F100B2 | |
관련 링크 | APT29F, APT29F100B2 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
VJ0603D200JXCAJ | 20pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D200JXCAJ.pdf | ||
P4KE160A-E3/54 | TVS DIODE 136VWM 219VC AXIAL | P4KE160A-E3/54.pdf | ||
ERJ-8GEYJ186V | RES SMD 18M OHM 5% 1/4W 1206 | ERJ-8GEYJ186V.pdf | ||
PA2512FKF7T0R004E | RES SMD 0.004 OHM 1% 3W 2512 | PA2512FKF7T0R004E.pdf | ||
ISL28272FAZ | ISL28272FAZ ISL ORIGINAL | ISL28272FAZ.pdf | ||
B02B-PAOK-1(LF)(SN) | B02B-PAOK-1(LF)(SN) JST SMD | B02B-PAOK-1(LF)(SN).pdf | ||
HCF4520BEY | HCF4520BEY ST SMD or Through Hole | HCF4520BEY.pdf | ||
AD4C112STR | AD4C112STR SSOUSA DIPSOP | AD4C112STR.pdf | ||
MAX1617AMEE-TG129 | MAX1617AMEE-TG129 MAXIM SSOP16 | MAX1617AMEE-TG129.pdf | ||
BFC233990188 | BFC233990188 VISHAY ORIGINAL | BFC233990188.pdf |