창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT25SM120B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT25SM120B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | * | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 실리콘 카바이드(SiC) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 175m옴 @ 10A, 20V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(20V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 175W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | * | |
| 패키지/케이스 | * | |
| 공급 장치 패키지 | * | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT25SM120B | |
| 관련 링크 | APT25S, APT25SM120B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | S3A-TP | DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB | S3A-TP.pdf | |
![]() | S1210-471K | 470nH Shielded Inductor 653mA 450 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | S1210-471K.pdf | |
![]() | Y00222K00000A9L | RES 2K OHM 1W 0.05% RADIAL | Y00222K00000A9L.pdf | |
![]() | APT15D100K | APT15D100K APT TO-220 | APT15D100K.pdf | |
![]() | 100U 10V C | 100U 10V C AVX SMD or Through Hole | 100U 10V C.pdf | |
![]() | 3528(5500-7000K,1600-2000mcd) | 3528(5500-7000K,1600-2000mcd) ORIGINAL SMD or Through Hole | 3528(5500-7000K,1600-2000mcd).pdf | |
![]() | VE1E101MG2R | VE1E101MG2R NOVER SMD or Through Hole | VE1E101MG2R.pdf | |
![]() | 835NL-1A-F-C-12VDC | 835NL-1A-F-C-12VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | 835NL-1A-F-C-12VDC.pdf | |
![]() | RTJ-63V220MG10-R | RTJ-63V220MG10-R ELNA SMD or Through Hole | RTJ-63V220MG10-R.pdf | |
![]() | BLA31AG181SN4L | BLA31AG181SN4L MURATA SMD or Through Hole | BLA31AG181SN4L.pdf | |
![]() | LM285BYZ-1.2 | LM285BYZ-1.2 NS TO92 | LM285BYZ-1.2.pdf | |
![]() | LVS303010-2R2M-N | LVS303010-2R2M-N Chilisin SMD or Through Hole | LVS303010-2R2M-N.pdf |