창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT22F80B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT22F80(B,S) Power Products Catalog | |
| 카탈로그 페이지 | 1629 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500m옴 @ 12A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4595pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 625W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 [B] | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APT22F80BMI APT22F80BMI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT22F80B | |
| 관련 링크 | APT22, APT22F80B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ECJ-1VB1H153K | 0.015µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | ECJ-1VB1H153K.pdf | |
![]() | ELL-VGG4R7N | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 980mA 170 mOhm Nonstandard | ELL-VGG4R7N.pdf | |
![]() | RSF100JB-73-180K | RES 180K OHM 1W 5% AXIAL | RSF100JB-73-180K.pdf | |
![]() | 315MXR82M20X25 | 315MXR82M20X25 RUBYCON DIP | 315MXR82M20X25.pdf | |
![]() | K4S640832D-TC1LT | K4S640832D-TC1LT SAM SMD or Through Hole | K4S640832D-TC1LT.pdf | |
![]() | 1N3421 | 1N3421 ORIGINAL DIP | 1N3421.pdf | |
![]() | MK06-4-C | MK06-4-C MEDER CALL | MK06-4-C.pdf | |
![]() | VSP2267GSJ | VSP2267GSJ TIS Call | VSP2267GSJ.pdf | |
![]() | 66P6786 | 66P6786 ORIGINAL BGA | 66P6786.pdf | |
![]() | ISL43L120IUZ | ISL43L120IUZ ORIGINAL SMD or Through Hole | ISL43L120IUZ.pdf | |
![]() | MX611P | MX611P CML PDIL | MX611P.pdf | |
![]() | MH6430 | MH6430 N/A DIP | MH6430.pdf |