창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT20M38SVRG/TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT20M38SVR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS V® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 67A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 38m옴 @ 33.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 225nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6120pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 370W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D3Pak | |
| 표준 포장 | 400 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT20M38SVRG/TR | |
| 관련 링크 | APT20M38S, APT20M38SVRG/TR 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ACZRM5230B-HF | DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123FL | ACZRM5230B-HF.pdf | |
![]() | 105R-822JS | 8.2µH Unshielded Wirewound Inductor 135mA 5 Ohm Max 2-SMD | 105R-822JS.pdf | |
![]() | X24C01ASI2.7T2 | X24C01ASI2.7T2 XICOR SMD or Through Hole | X24C01ASI2.7T2.pdf | |
![]() | 100VXG2200M35X35 | 100VXG2200M35X35 RUBYCON DIP | 100VXG2200M35X35.pdf | |
![]() | TE28F160-S5100 | TE28F160-S5100 INTEL TSSOP | TE28F160-S5100.pdf | |
![]() | 430450612 | 430450612 MOLEX SMD or Through Hole | 430450612.pdf | |
![]() | E82ELQ | E82ELQ INTEL BGA | E82ELQ.pdf | |
![]() | IB1203S-1W | IB1203S-1W YUAN SIP | IB1203S-1W.pdf | |
![]() | sdos-3316-3r3ml050 | sdos-3316-3r3ml050 ORIGINAL SMD or Through Hole | sdos-3316-3r3ml050.pdf | |
![]() | AT28HC16LN-55DM | AT28HC16LN-55DM ATMEL CDIP24 | AT28HC16LN-55DM.pdf | |
![]() | IS61S6432-5TQ, | IS61S6432-5TQ, ISSI QFP | IS61S6432-5TQ,.pdf | |
![]() | F873DB153J760C | F873DB153J760C KEMET SMD or Through Hole | F873DB153J760C.pdf |