창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT18M80B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT18M80(B,S) Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 8™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 530m옴 @ 9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3760pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 500W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 [B] | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT18M80B | |
| 관련 링크 | APT18, APT18M80B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | RCP2512W910RGEA | RES SMD 910 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512W910RGEA.pdf | |
![]() | GRM316F11H473ZD01D | GRM316F11H473ZD01D MURATA SMD | GRM316F11H473ZD01D.pdf | |
![]() | MGFK35V0510-52 | MGFK35V0510-52 ORIGINAL SMD or Through Hole | MGFK35V0510-52.pdf | |
![]() | L6911B013TR | L6911B013TR STMICRO SMD or Through Hole | L6911B013TR.pdf | |
![]() | UDN2983 | UDN2983 ALLEGRO DIP | UDN2983.pdf | |
![]() | IRFS4127TRRPBF | IRFS4127TRRPBF IOR TO263 | IRFS4127TRRPBF.pdf | |
![]() | G4V-1A-12V | G4V-1A-12V OMRON SMD or Through Hole | G4V-1A-12V.pdf | |
![]() | EM636327TQ- | EM636327TQ- ORIGINAL SMD or Through Hole | EM636327TQ-.pdf | |
![]() | TL2575-05 | TL2575-05 TI 16PDIP | TL2575-05.pdf | |
![]() | LMV358QDDURG4 | LMV358QDDURG4 TI US8 | LMV358QDDURG4.pdf | |
![]() | HIP574/4CB | HIP574/4CB ORIGINAL SOP | HIP574/4CB.pdf |