창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT150GT120JR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT150GT120JR Power Products Catalog | |
| 카탈로그 페이지 | 1628 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 모듈 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | Thunderbolt IGBT® | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | NPT | |
| 구성 | 단일 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 170A | |
| 전력 - 최대 | 830W | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 150A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 150µA | |
| 입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 9.3nF @ 25V | |
| 입력 | 표준 | |
| NTC 서미스터 | 없음 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | ISOTOP | |
| 공급 장치 패키지 | ISOTOP® | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APT150GT120JRMI APT150GT120JRMI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT150GT120JR | |
| 관련 링크 | APT150G, APT150GT120JR 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | BCR35PNH6327XTSA1 | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 | BCR35PNH6327XTSA1.pdf | |
![]() | NL565050T-272J-PF | 2.7mH Unshielded Wirewound Inductor 45mA 55 Ohm Max 2220 (5650 Metric) | NL565050T-272J-PF.pdf | |
![]() | TC164-JR-07100R | TC164-JR-07100R YAGEO SMD | TC164-JR-07100R.pdf | |
![]() | LDC1 | LDC1 NPX SOT23-5 | LDC1.pdf | |
![]() | RN4B2AY471J-T1 | RN4B2AY471J-T1 TAIYOYUDEN SMD or Through Hole | RN4B2AY471J-T1.pdf | |
![]() | VI-RU011-CWYY | VI-RU011-CWYY VICOR SMD or Through Hole | VI-RU011-CWYY.pdf | |
![]() | SML4009 | SML4009 SEMELAB SMD or Through Hole | SML4009.pdf | |
![]() | MAX652ESA | MAX652ESA MAXIM SOP-8 | MAX652ESA.pdf | |
![]() | 2SB1017-O | 2SB1017-O TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SB1017-O.pdf | |
![]() | ELB-1001/3E4Y3GWA | ELB-1001/3E4Y3GWA EVERLIGHT DIP | ELB-1001/3E4Y3GWA.pdf | |
![]() | UPD281C | UPD281C NEC DIP-24 | UPD281C.pdf | |
![]() | RKZ6C1KD | RKZ6C1KD RENESAS SOD-80 | RKZ6C1KD.pdf |