창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT1201R4BFLLG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT1201R4(B,S)FLL Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 7® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 4.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2030pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 [B] | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT1201R4BFLLG | |
| 관련 링크 | APT1201R, APT1201R4BFLLG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | AQ137M470FA1BE | 47pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ137M470FA1BE.pdf | |
![]() | 0034.6816 | FUSE BRD MNT 1.25A 250VAC 125VDC | 0034.6816.pdf | |
![]() | CRCW251253K6FKEGHP | RES SMD 53.6K OHM 1% 1.5W 2512 | CRCW251253K6FKEGHP.pdf | |
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![]() | BF257 | BF257 ST TO-39 | BF257.pdf | |
![]() | PE4820D-I | PE4820D-I YH DIP | PE4820D-I.pdf | |
![]() | A3121A | A3121A ALLEGRO SMD or Through Hole | A3121A.pdf | |
![]() | LT217HVH/883 | LT217HVH/883 LT CAN3 | LT217HVH/883.pdf | |
![]() | UC285TDKTTT-3G3 | UC285TDKTTT-3G3 TI-BB SFM5 | UC285TDKTTT-3G3.pdf | |
![]() | BN3107 | BN3107 CN DIP | BN3107.pdf | |
![]() | K9F5608U0C-YCBO | K9F5608U0C-YCBO SAMSUNG TSSOP | K9F5608U0C-YCBO.pdf |