창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT100GF60JU2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT100GF60JU2 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Power Module Disc 23/Mar/2016 | |
| 카탈로그 페이지 | 1628 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 모듈 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| IGBT 유형 | NPT | |
| 구성 | 단일 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 120A | |
| 전력 - 최대 | 416W | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 100A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 250µA | |
| 입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 12.3nF @ 25V | |
| 입력 | 표준 | |
| NTC 서미스터 | 있음 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | ISOTOP | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APT100GF60JU2MI APT100GF60JU2MI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT100GF60JU2 | |
| 관련 링크 | APT100G, APT100GF60JU2 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 7447789001 | 1µH Shielded Wirewound Inductor 5.37A 12 mOhm Max Nonstandard | 7447789001.pdf | |
![]() | HN48128G-25 | HN48128G-25 HIT DIP | HN48128G-25.pdf | |
![]() | 245801080012829+ | 245801080012829+ ORIGINAL SMD or Through Hole | 245801080012829+.pdf | |
![]() | 30-1611-1 | 30-1611-1 ORIGINAL NEW | 30-1611-1.pdf | |
![]() | EMPPC750LEBF3330 | EMPPC750LEBF3330 IBM BGA | EMPPC750LEBF3330.pdf | |
![]() | 194D475X0025B2T | 194D475X0025B2T VISHAY/SPRAGUE SMD | 194D475X0025B2T.pdf | |
![]() | 1530HC | 1530HC FAIR-SOME SOT-23 | 1530HC.pdf | |
![]() | C1608X7R1C474KT | C1608X7R1C474KT TDK SMD or Through Hole | C1608X7R1C474KT.pdf | |
![]() | SN74LVCH245BGQNR | SN74LVCH245BGQNR TI BGA | SN74LVCH245BGQNR.pdf | |
![]() | S7B-PH-SM-TB | S7B-PH-SM-TB JST SMD or Through Hole | S7B-PH-SM-TB.pdf | |
![]() | KMZ51,115 | KMZ51,115 NXPs SMD or Through Hole | KMZ51,115.pdf | |
![]() | MTD5P06VT4G | MTD5P06VT4G ON DPAKTO-252 | MTD5P06VT4G .pdf |