창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT100F50J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT100F50J | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 8™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 103A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 620nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 24600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 960W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | ISOTOP® | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT100F50J | |
| 관련 링크 | APT100, APT100F50J 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8008BI-21-33S-68.670000E | OSC XO 3.3V 68.67MHZ ST | SIT8008BI-21-33S-68.670000E.pdf | |
![]() | LTR18EZPJ332 | RES SMD 3.3K OHM 3/4W 1206 WIDE | LTR18EZPJ332.pdf | |
![]() | CMF5020K000JKBF | RES 20K OHM 1/4W 5% AXIAL | CMF5020K000JKBF.pdf | |
![]() | Y0054108R760T9L | RES 108.76 OHM 1/2W 0.01% AXIAL | Y0054108R760T9L.pdf | |
![]() | TV2206K | TV2206K DYNEX SMD or Through Hole | TV2206K.pdf | |
![]() | 1N4890A | 1N4890A MICROSEMI SMD | 1N4890A.pdf | |
![]() | TLP181GB Toshiba | TLP181GB Toshiba Toshiba SOP4 | TLP181GB Toshiba.pdf | |
![]() | SG8002CAPHC4MHZ | SG8002CAPHC4MHZ EPSON 60TUBE | SG8002CAPHC4MHZ.pdf | |
![]() | S2AA102 | S2AA102 SONIX QFP | S2AA102.pdf | |
![]() | 12D-380A10Z-YL3 | 12D-380A10Z-YL3 HF SMD or Through Hole | 12D-380A10Z-YL3.pdf | |
![]() | EPM1081100 | EPM1081100 ORIGINAL SMD or Through Hole | EPM1081100.pdf | |
![]() | HM1-65261-5 | HM1-65261-5 ORIGINAL CDIP20 | HM1-65261-5.pdf |