창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AOT29S50L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AOx(F)29S50L TO220 Pkg Drawing | |
| 기타 관련 문서 | AOS Green Policy | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |
| 계열 | aMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 29A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 14.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26.6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1312pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 357W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 785-1440-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AOT29S50L | |
| 관련 링크 | AOT29, AOT29S50L 데이터 시트, Alpha & Omega Semiconductor Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | 08051A9R1DAT2A | 9.1pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08051A9R1DAT2A.pdf | |
![]() | VJ1825A330JBBAT4X | 33pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825A330JBBAT4X.pdf | |
![]() | SIT9002AI-43H18SQ | 1MHz ~ 220MHz HCSL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V Standby | SIT9002AI-43H18SQ.pdf | |
![]() | CRCW2512249RFKEGHP | RES SMD 249 OHM 1% 1.5W 2512 | CRCW2512249RFKEGHP.pdf | |
![]() | 8.0MHZ | 8.0MHZ JAPAN SMD or Through Hole | 8.0MHZ.pdf | |
![]() | CLRD701/HAB,122 | CLRD701/HAB,122 NXP original | CLRD701/HAB,122.pdf | |
![]() | 3P-6L1 | 3P-6L1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3P-6L1.pdf | |
![]() | 21140-AE | 21140-AE digital QFP | 21140-AE.pdf | |
![]() | HD44780UA02FSI | HD44780UA02FSI HITACHI QFP | HD44780UA02FSI.pdf | |
![]() | JM-SH-212D | JM-SH-212D GOODSKY DIP-SOP | JM-SH-212D.pdf | |
![]() | CN1J4TTD114J | CN1J4TTD114J KOA SMD | CN1J4TTD114J.pdf |