창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AOT11N70 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AOT(F)11N70(L) TO220 Pkg Drawing | |
| 기타 관련 문서 | AOS Green Policy | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 700V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 870m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2150pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 271W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AOT11N70 | |
| 관련 링크 | AOT1, AOT11N70 데이터 시트, Alpha & Omega Semiconductor Inc. 에이전트 유통 | |
|  | VJ0603D180FXCAP | 18pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D180FXCAP.pdf | |
|  | RG3216N-6341-W-T1 | RES SMD 6.34KOHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216N-6341-W-T1.pdf | |
|  | D12200100R5%P5 | D12200100R5%P5 DRALORIC SMD or Through Hole | D12200100R5%P5.pdf | |
|  | HA12134A-Q | HA12134A-Q HIT DIP | HA12134A-Q.pdf | |
|  | JQX-68F-024-1ZSG | JQX-68F-024-1ZSG HONGFA SMD or Through Hole | JQX-68F-024-1ZSG.pdf | |
|  | DSTC50SJYR103K | DSTC50SJYR103K MARUWA SMD or Through Hole | DSTC50SJYR103K.pdf | |
|  | ISL5585FCR | ISL5585FCR INTERSIL LCC | ISL5585FCR.pdf | |
|  | TDA7575DP | TDA7575DP ST HSOP | TDA7575DP.pdf | |
|  | 65HVD11DRG4 | 65HVD11DRG4 TI SOP8 | 65HVD11DRG4.pdf | |
|  | RN732C2A1K15BT | RN732C2A1K15BT KOA SMD or Through Hole | RN732C2A1K15BT.pdf | |
|  | WS62256LIP-70 | WS62256LIP-70 LATTLE DIP-28 B | WS62256LIP-70.pdf | |
|  | 92HD75B2X5NLGXYAX | 92HD75B2X5NLGXYAX IDT QFN | 92HD75B2X5NLGXYAX.pdf |