창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AON6508 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AON6508 DFN5x6_8L_EP1_P Pkg Drawing | |
| 기타 관련 문서 | AOS Green Policy | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 29A(Ta), 32A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2010pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 4.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerSMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-DFN(5x6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 785-1365-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AON6508 | |
| 관련 링크 | AON6, AON6508 데이터 시트, Alpha & Omega Semiconductor Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | MAL216031101E3 | 100µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 150°C | MAL216031101E3.pdf | |
![]() | Y08756K19000F0L | RES 6.19K OHM .3W 1% RADIAL | Y08756K19000F0L.pdf | |
![]() | IST3225TB0 | IST3225TB0 IST TCP | IST3225TB0.pdf | |
![]() | LC4128V27TN144-5I | LC4128V27TN144-5I LATTICE QFP-144 | LC4128V27TN144-5I.pdf | |
![]() | UPD65943GB-F10-YEU | UPD65943GB-F10-YEU NEC QFP | UPD65943GB-F10-YEU.pdf | |
![]() | 3041A | 3041A ADP SOP-20 | 3041A.pdf | |
![]() | HCF4068F | HCF4068F ST SMD or Through Hole | HCF4068F.pdf | |
![]() | MB91191R | MB91191R FUJITSU TQFP100 | MB91191R.pdf | |
![]() | TSI572-10GCLV | TSI572-10GCLV IDT THERML 21X21 | TSI572-10GCLV.pdf | |
![]() | mks410-2000v0.0 | mks410-2000v0.0 wim SMD or Through Hole | mks410-2000v0.0.pdf | |
![]() | OBBX | OBBX AD SOT23-3 | OBBX.pdf |