창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-AN3582S-E1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | AN3582S-E1 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SOP | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | AN3582S-E1 | |
관련 링크 | AN3582, AN3582S-E1 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | VJ0603D1R8DXPAC | 1.8pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R8DXPAC.pdf | |
![]() | MKP385410085JC02Z0 | 0.1µF Film Capacitor 300V 850V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.394" W (17.50mm x 10.00mm) | MKP385410085JC02Z0.pdf | |
![]() | 06035J1R2BBTTR | 1.2pF Thin Film Capacitor 50V 0603 (1608 Metric) 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) | 06035J1R2BBTTR.pdf | |
![]() | 9C-20.000MEEJ-T | 20MHz ±10ppm 수정 18pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C-20.000MEEJ-T.pdf | |
![]() | AOI2610 | MOSFET NCH 60V 46A TO251A | AOI2610.pdf | |
![]() | DR1050-271-R | 270µH Shielded Wirewound Inductor 960mA 513 mOhm Max Nonstandard | DR1050-271-R.pdf | |
![]() | APT15D60 | APT15D60 APT SMD or Through Hole | APT15D60.pdf | |
![]() | E3SB12.0000F09E33 | E3SB12.0000F09E33 ORIGINAL SMD or Through Hole | E3SB12.0000F09E33.pdf | |
![]() | HY57V16160D-8 | HY57V16160D-8 HY TSOP-50 | HY57V16160D-8.pdf | |
![]() | DJP-203 | DJP-203 synergymwave SMD or Through Hole | DJP-203.pdf | |
![]() | M51024 | M51024 ORIGINAL SMD or Through Hole | M51024.pdf | |
![]() | 550-2405 | 550-2405 DIALIGHT ORIGINAL | 550-2405.pdf |