창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AMCV-1210H-650-T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AMCV-1210H | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
| 제조업체 | Abracon LLC | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 배리스터 전압 | 73V | |
| 배리스터 전압(통상) | 82V | |
| 배리스터 전압(최대) | 91V | |
| 전류 - 서지 | 300A | |
| 회로 개수 | 1 | |
| 최대 AC 전압 | 50VAC | |
| 최대 DC 전압 | 65VDC | |
| 에너지 | 2.0J | |
| 패키지/케이스 | 1210(3225 미터법) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT), MLCV | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AMCV-1210H-650-T | |
| 관련 링크 | AMCV-1210, AMCV-1210H-650-T 데이터 시트, Abracon LLC 에이전트 유통 | |
![]() | LB3218T2R2MV | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 775mA 90 mOhm Nonstandard | LB3218T2R2MV.pdf | |
![]() | RT0603BRE071R43L | RES SMD 1.43 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRE071R43L.pdf | |
![]() | Y17462K00000T9L | RES SMD 2K OHM 0.01% 0.6W J LEAD | Y17462K00000T9L.pdf | |
![]() | BS616LC010EIG-70 | BS616LC010EIG-70 BSI SMD or Through Hole | BS616LC010EIG-70.pdf | |
![]() | K30-3C0-SE36.8640MR-VD | K30-3C0-SE36.8640MR-VD KYOCERA SMD or Through Hole | K30-3C0-SE36.8640MR-VD.pdf | |
![]() | EP2C20AF256I8 | EP2C20AF256I8 ALTERA BGA | EP2C20AF256I8.pdf | |
![]() | AT49BV040-15VI | AT49BV040-15VI ATMEL 32TSOP | AT49BV040-15VI.pdf | |
![]() | 2N1995 | 2N1995 NES SMD or Through Hole | 2N1995.pdf | |
![]() | 74HC58N | 74HC58N NS DIP | 74HC58N.pdf | |
![]() | K4S561632D-TD75 | K4S561632D-TD75 SEC TSOP | K4S561632D-TD75.pdf |