창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AM26S12ADCB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | AM26S12ADCB | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | CDIP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | AM26S12ADCB | |
| 관련 링크 | AM26S1, AM26S12ADCB 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
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![]() | KRL3216T4-M-R009-F-T1 | RES SMD 0.009 OHM 1W 1206 WIDE | KRL3216T4-M-R009-F-T1.pdf | |
![]() | HMC491LP3 | RF Amplifier IC VSAT 3.4GHz ~ 3.8GHz 16-QFN (3x3) | HMC491LP3.pdf | |
![]() | 6PT12AI | 6PT12AI NELL TO-220 | 6PT12AI.pdf | |
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![]() | 4N26.3S | 4N26.3S FAIRCHILD QQ- | 4N26.3S.pdf | |
![]() | TESVB21E155K8R(25V/1 | TESVB21E155K8R(25V/1 NEC SMD or Through Hole | TESVB21E155K8R(25V/1.pdf | |
![]() | KS57C0504-C3 | KS57C0504-C3 SAMSUNG DIP30 | KS57C0504-C3.pdf | |
![]() | 2SD892A-Q | 2SD892A-Q TOSHIBA DIP | 2SD892A-Q.pdf | |
![]() | RC0805JR-0716R | RC0805JR-0716R YAGEO SMD0805 | RC0805JR-0716R.pdf | |
![]() | 70MT100KB | 70MT100KB IR SMD or Through Hole | 70MT100KB.pdf |