창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ALS75-3.3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 3D 모델 | ALS75-3.3 | |
| 종류 | 전원 공급 장치 - 외부/내부(기판 분리형) | |
| 제품군 | AC DC 컨버터 | |
| 제조업체 | Triad Magnetics | |
| 계열 | ALS75 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | 개방형 프레임 | |
| 출력 개수 | 1 | |
| 전압 - 입력 | 90 ~ 260 VAC | |
| 전압 - 출력 1 | 3.3V | |
| 전압 -출력 2 | - | |
| 전압 - 출력 3 | - | |
| 전압 - 출력 4 | - | |
| 전류 - 출력(최대) | 12A | |
| 전력(와트) | 40W | |
| 응용 제품 | ITE(상업용) | |
| 전압 - 분리 | 3kV(3000V) | |
| 효율 | 70% | |
| 작동 온도 | 0°C ~ 55°C(부하 경감 포함) | |
| 특징 | 조정 가능 출력, DC 입력 가능, 범용 입력 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 크기/치수 | 5.00" L x 3.00" W x 1.65" H(127.0mm x 76.2mm x 42.0mm) | |
| 최소 부하 필요 | 없음 | |
| 승인 | TUV, UR | |
| 전력(와트) - 최대 | 40W | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 237-1293 ALS7533 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ALS75-3.3 | |
| 관련 링크 | ALS75, ALS75-3.3 데이터 시트, Triad Magnetics 에이전트 유통 | |
| UPJ0J121MDD1TD | 120µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPJ0J121MDD1TD.pdf | ||
![]() | CDBA140LR-HF | DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC | CDBA140LR-HF.pdf | |
![]() | RK10J12E0A0A.RK10J12E002L | RK10J12E0A0A.RK10J12E002L ALPS SMD or Through Hole | RK10J12E0A0A.RK10J12E002L.pdf | |
![]() | HW101A F G E C | HW101A F G E C ASAHIKASE SMD or Through Hole | HW101A F G E C.pdf | |
![]() | 220UH/1.5APE-52626 | 220UH/1.5APE-52626 PULSEENGINEERING SMD or Through Hole | 220UH/1.5APE-52626.pdf | |
![]() | IRFR9020IRPBF | IRFR9020IRPBF IR SMD or Through Hole | IRFR9020IRPBF.pdf | |
![]() | M50436 | M50436 BEC DIP-52 | M50436.pdf | |
![]() | LTE-3376(850nm)200MW | LTE-3376(850nm)200MW LITEON SMD or Through Hole | LTE-3376(850nm)200MW.pdf | |
![]() | CS2841BEBN8 | CS2841BEBN8 ON DIP8 | CS2841BEBN8.pdf | |
![]() | CDRH8D28NP-2R5N | CDRH8D28NP-2R5N SUMIDA SMD | CDRH8D28NP-2R5N.pdf | |
![]() | K4S161622EC60 | K4S161622EC60 SAMSUNG SOP | K4S161622EC60.pdf |