창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ALD210800APCL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ALD210800/A | |
주요제품 | Precision N-Channel EPAD® MOSFET Array | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. | |
계열 | EPAD®, Zero Threshold™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 4 N 채널, 결합 쌍 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 10.6V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25옴 | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 10mV @ 10µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15pF @ 5V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | 0°C ~ 70°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | |
공급 장치 패키지 | 16-PDIP | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 1014-1216 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ALD210800APCL | |
관련 링크 | ALD2108, ALD210800APCL 데이터 시트, Advanced Linear Devices Inc. 에이전트 유통 |
1130-221K-RC | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 5.5A 80 mOhm Max Radial | 1130-221K-RC.pdf | ||
CRCW201078R7FKEF | RES SMD 78.7 OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW201078R7FKEF.pdf | ||
4420P-T02-203 | RES ARRAY 19 RES 20K OHM 20SOIC | 4420P-T02-203.pdf | ||
40000MHZ | 40000MHZ OCEAN SMD or Through Hole | 40000MHZ.pdf | ||
V24C5C25AL | V24C5C25AL VICOR SMD or Through Hole | V24C5C25AL.pdf | ||
MRF19125 | MRF19125 ORIGINAL SMD or Through Hole | MRF19125 .pdf | ||
4300H3LM | 4300H3LM DONGSUNG SMD or Through Hole | 4300H3LM.pdf | ||
932S801AFLF | 932S801AFLF ICS SSOP | 932S801AFLF.pdf | ||
M5L27512K | M5L27512K MITSUBISHI DIP | M5L27512K.pdf | ||
12101A102J4T2A | 12101A102J4T2A AVX SMD | 12101A102J4T2A.pdf | ||
G65C134S8PL-8 | G65C134S8PL-8 GENNUM PLCC68 | G65C134S8PL-8.pdf | ||
HG-5SG80M-3W | HG-5SG80M-3W HG SMD or Through Hole | HG-5SG80M-3W.pdf |