창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ALD110914PAL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ALD110814,914 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. | |
| 계열 | EPAD® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(이중) 결합 쌍 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 10.6V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12mA, 3mA | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500옴 @ 5.4V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.42V @ 1µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2.5pF @ 5V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 8-DIP(0.300", 7.62mm) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PDIP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 1014-1042 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ALD110914PAL | |
| 관련 링크 | ALD1109, ALD110914PAL 데이터 시트, Advanced Linear Devices Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | SG-615PCW 33.0000MB3: ROHS | 33MHz LVCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 28mA Enable/Disable | SG-615PCW 33.0000MB3: ROHS.pdf | |
![]() | 1330R-92F | 1mH Unshielded Inductor 28mA 72 Ohm Max 2-SMD | 1330R-92F.pdf | |
![]() | AMS285CS | AMS285CS AMS SO-8 | AMS285CS.pdf | |
![]() | INF5880 | INF5880 ORIGINAL DIP-2 | INF5880.pdf | |
![]() | Z80ASIO-2 | Z80ASIO-2 ROHM DIP40 | Z80ASIO-2.pdf | |
![]() | TL331IDBVRQ1 | TL331IDBVRQ1 TI SOT23-5 | TL331IDBVRQ1.pdf | |
![]() | CX3225SA 10MHZ | CX3225SA 10MHZ KYOCERA SMD or Through Hole | CX3225SA 10MHZ.pdf | |
![]() | M50452-002FP | M50452-002FP MIT SOP | M50452-002FP.pdf | |
![]() | HEF4795BP | HEF4795BP PHILIPS DIP16 | HEF4795BP.pdf | |
![]() | SST27SF020-90-3C-PC | SST27SF020-90-3C-PC SST DIP | SST27SF020-90-3C-PC.pdf | |
![]() | 6127.201.301 | 6127.201.301 VARTAMICROBATTERY SMD or Through Hole | 6127.201.301.pdf | |
![]() | TH11-3V103HT | TH11-3V103HT MIT SMD | TH11-3V103HT.pdf |