창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ALD110900ASAL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ALD110800,900(A) | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. | |
| 계열 | EPAD®, Zero Threshold™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(이중) 결합 쌍 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 10.6V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500옴 @ 4V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 10mV @ 1µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2.5pF @ 5V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 1014-1031 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ALD110900ASAL | |
| 관련 링크 | ALD1109, ALD110900ASAL 데이터 시트, Advanced Linear Devices Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | EKYB101ELL471MLN3S | 470µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | EKYB101ELL471MLN3S.pdf | |
![]() | VJ0805D821GLXAJ | 820pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D821GLXAJ.pdf | |
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![]() | 1N5814R | 1N5814R Microsemi SMD or Through Hole | 1N5814R.pdf | |
![]() | 887-190 | 887-190 ORIGINAL SMD or Through Hole | 887-190.pdf | |
![]() | DH0008H | DH0008H NULL CAN | DH0008H.pdf | |
![]() | STM7707ZUC | STM7707ZUC ST SMD or Through Hole | STM7707ZUC.pdf | |
![]() | 3412.0114.11 | 3412.0114.11 SCHURTER SMD or Through Hole | 3412.0114.11.pdf | |
![]() | AD677JR-REEL | AD677JR-REEL ADI SMD or Through Hole | AD677JR-REEL.pdf | |
![]() | MMXF0450K47400000100 | MMXF0450K47400000100 NISSEI DIP | MMXF0450K47400000100.pdf | |
![]() | P80C528EEB.EFB | P80C528EEB.EFB PHI PQFP44 | P80C528EEB.EFB.pdf | |
![]() | Z09 | Z09 Sil SOT-23 | Z09.pdf |