창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ALD1105PBL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ALD1105 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan 및 2 P-Chan 결합 쌍 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 10.6V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500옴 @ 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3pF @ 5V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 14-DIP(0.300", 7.62mm) | |
| 공급 장치 패키지 | 14-PDIP | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | 1014-1010 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ALD1105PBL | |
| 관련 링크 | ALD110, ALD1105PBL 데이터 시트, Advanced Linear Devices Inc. 에이전트 유통 | |
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![]() | ILSB1206ERR15K | 150nH Shielded Multilayer Inductor 250mA 300 mOhm Max 1206 (3216 Metric) | ILSB1206ERR15K.pdf | |
| HS200 68R J | RES CHAS MNT 68 OHM 5% 200W | HS200 68R J.pdf | ||
![]() | RT0402CRE0763R4L | RES SMD 63.4OHM 0.25% 1/16W 0402 | RT0402CRE0763R4L.pdf | |
![]() | 02357-2 | 02357-2 N/A QFN | 02357-2.pdf | |
![]() | MBRD1035CTL | MBRD1035CTL ON TO-252-2 | MBRD1035CTL.pdf | |
![]() | ACT651MX | ACT651MX TI SMD or Through Hole | ACT651MX.pdf | |
![]() | 6MBI10GS-060 | 6MBI10GS-060 FUJI SMD or Through Hole | 6MBI10GS-060.pdf | |
![]() | PST9137NR(378A) | PST9137NR(378A) MITSUMI SOT153 | PST9137NR(378A).pdf | |
![]() | SE2436L | SE2436L SIGE QFN | SE2436L.pdf | |
![]() | I249016 | I249016 AMI PLCC | I249016.pdf | |
![]() | ERS1812WUC273J2509 | ERS1812WUC273J2509 EVX SMD or Through Hole | ERS1812WUC273J2509.pdf |