창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ALD1105PBL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ALD1105 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan 및 2 P-Chan 결합 쌍 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 10.6V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500옴 @ 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3pF @ 5V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | 0°C ~ 70°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 14-DIP(0.300", 7.62mm) | |
공급 장치 패키지 | 14-PDIP | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | 1014-1010 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ALD1105PBL | |
관련 링크 | ALD110, ALD1105PBL 데이터 시트, Advanced Linear Devices Inc. 에이전트 유통 |
![]() | SM6T18AHE3/52 | TVS DIODE 15.3VWM 25.2VC SMB | SM6T18AHE3/52.pdf | |
![]() | 416F52022ASR | 52MHz ±20ppm 수정 시리즈 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52022ASR.pdf | |
![]() | RC0805JR-078M2L | RES SMD 8.2M OHM 5% 1/8W 0805 | RC0805JR-078M2L.pdf | |
![]() | SH9355 | SH9355 ORIGINAL SMD4 | SH9355.pdf | |
![]() | TC47C443DM-5HA3 | TC47C443DM-5HA3 TOSHIBA TSSOP-30 | TC47C443DM-5HA3.pdf | |
![]() | TNETV3000GJL | TNETV3000GJL TI NA | TNETV3000GJL.pdf | |
![]() | KP40402D | KP40402D COSMO SMD | KP40402D.pdf | |
![]() | CY7C42-30VC | CY7C42-30VC CYPRESS SOJ | CY7C42-30VC.pdf | |
![]() | ISD5108EI | ISD5108EI ISD TSOP | ISD5108EI.pdf | |
![]() | M30804 | M30804 DI DIP | M30804.pdf | |
![]() | BD8112EFV-ME2 | BD8112EFV-ME2 ROHM SMD or Through Hole | BD8112EFV-ME2.pdf | |
![]() | C3225X5R1A156MT | C3225X5R1A156MT TDK SMD or Through Hole | C3225X5R1A156MT.pdf |