창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ALD1103PBL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ALD1103 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan 및 2 P-Chan 결합 쌍 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 10.6V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40mA, 16mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75옴 @ 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 10µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10pF @ 5V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | 0°C ~ 70°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 14-DIP(0.300", 7.62mm) | |
공급 장치 패키지 | 14-PDIP | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | 1014-1008 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ALD1103PBL | |
관련 링크 | ALD110, ALD1103PBL 데이터 시트, Advanced Linear Devices Inc. 에이전트 유통 |
SMCJ8.0A-TP | TVS DIODE 8VWM 13.6VC SMC | SMCJ8.0A-TP.pdf | ||
SCMS5D25-820 | 82µH Shielded Inductor 670mA 790 mOhm Max Nonstandard | SCMS5D25-820.pdf | ||
MB3863PF-G-BND-JN-ER | MB3863PF-G-BND-JN-ER FUJ sop | MB3863PF-G-BND-JN-ER.pdf | ||
M1T3 02 | M1T3 02 INFINEON SMD or Through Hole | M1T3 02.pdf | ||
PCB80C51BH-3P/J575 | PCB80C51BH-3P/J575 ORIGINAL DIP | PCB80C51BH-3P/J575.pdf | ||
M52890FP | M52890FP MIT TSOP-42 | M52890FP.pdf | ||
C1959AC | C1959AC NEC DIP8 | C1959AC.pdf | ||
303U200 | 303U200 IR SMD or Through Hole | 303U200.pdf | ||
CA45 B 6.8UF 20V M | CA45 B 6.8UF 20V M TASUND SMD or Through Hole | CA45 B 6.8UF 20V M.pdf | ||
CA9575520010419 | CA9575520010419 WEARNES SMD or Through Hole | CA9575520010419.pdf | ||
WS27C256L-T | WS27C256L-T WSI DIP | WS27C256L-T.pdf | ||
15060145 | 15060145 MOLEX SMD or Through Hole | 15060145.pdf |