창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AFV121KGSR5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AFV121KH(S), AFV121KGS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS(이중) | |
주파수 | 960MHz ~ 1.22GHz | |
이득 | 19.6dB | |
전압 - 테스트 | 50V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 100mA | |
전력 - 출력 | 1000W | |
전압 - 정격 | 112V | |
패키지/케이스 | NI-1230-4S GW | |
공급 장치 패키지 | NI-1230-4S 갈매기날개형 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AFV121KGSR5 | |
관련 링크 | AFV121, AFV121KGSR5 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
K122J20C0GK5TH5 | 1200pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | K122J20C0GK5TH5.pdf | ||
HFZ102KBFEF0KR | 1000pF 6000V(6kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.669" Dia(17.00mm) | HFZ102KBFEF0KR.pdf | ||
BFC237146104 | 0.1µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.394" L x 0.098" W (10.00mm x 2.50mm) | BFC237146104.pdf | ||
SZMMQA33VT1G | TVS DIODE 25VWM 48.6VC SC74-6 | SZMMQA33VT1G.pdf | ||
BRF6106 | BRF6106 ORIGINAL BGA | BRF6106.pdf | ||
DF7055SBP40LNV | DF7055SBP40LNV ORIGINAL SMD or Through Hole | DF7055SBP40LNV.pdf | ||
TCSCS1A106MAAR | TCSCS1A106MAAR SAMSUNG SMD | TCSCS1A106MAAR.pdf | ||
CMPZDC30V | CMPZDC30V CENTRAL SMD or Through Hole | CMPZDC30V.pdf | ||
NBC9903A-E2 | NBC9903A-E2 ROHM SOP | NBC9903A-E2.pdf | ||
TEF6730HW/V1 | TEF6730HW/V1 NXP QFP | TEF6730HW/V1.pdf | ||
PC817B//C | PC817B//C ORIGINAL DIP | PC817B//C.pdf | ||
KM41464AP-12 | KM41464AP-12 SAM DIP-18 | KM41464AP-12.pdf |