창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AFT26P100-4WSR3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AFT26P100-4WSR3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS(이중) | |
주파수 | 2.69GHz | |
이득 | 15.1dB | |
전압 - 테스트 | 28V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 200mA | |
전력 - 출력 | 22W | |
전압 - 정격 | 65V | |
패키지/케이스 | NI-780S-4 | |
공급 장치 패키지 | NI-780S-4 | |
표준 포장 | 250 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AFT26P100-4WSR3 | |
관련 링크 | AFT26P100, AFT26P100-4WSR3 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
10YXG820MEFC8X11.5 | 820µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 4000 Hrs @ 105°C | 10YXG820MEFC8X11.5.pdf | ||
445C33S20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 시리즈 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C33S20M00000.pdf | ||
SNJLS04J | SNJLS04J TI DIP-14 | SNJLS04J.pdf | ||
CPH3306-TL | CPH3306-TL SANYO SOT-23 | CPH3306-TL.pdf | ||
HD1F3P-T1 | HD1F3P-T1 NEC SOT-89 | HD1F3P-T1.pdf | ||
ESAG32- T | ESAG32- T FUJI SMD or Through Hole | ESAG32- T.pdf | ||
960106-6202-AR | 960106-6202-AR M SMD or Through Hole | 960106-6202-AR.pdf | ||
41579-0 | 41579-0 AMP/TYCO AMP | 41579-0.pdf | ||
FAN1084MCX(FAN1084MCT) | FAN1084MCX(FAN1084MCT) FSC TO-263-2L | FAN1084MCX(FAN1084MCT).pdf | ||
YTS3905 | YTS3905 TOSHIBA SOT-23 | YTS3905.pdf | ||
TS-3000 0SD | TS-3000 0SD HYNIX DIP40 | TS-3000 0SD.pdf | ||
HFA1106IBZ96 | HFA1106IBZ96 INTERSILHARRIS SOP8 | HFA1106IBZ96.pdf |