홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » RF FET » AFT09S200W02GNR3

NXP Semiconductors AFT09S200W02GNR3

AFT09S200W02GNR3
제조업체 부품 번호
AFT09S200W02GNR3
제조업 자
제품 카테고리
RF FET
간단한 설명
FET RF 70V 960MHZ PLD
데이터 시트 다운로드
다운로드
AFT09S200W02GNR3 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 95,555.16800
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 AFT09S200W02GNR3 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. AFT09S200W02GNR3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. AFT09S200W02GNR3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
AFT09S200W02GNR3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
AFT09S200W02GNR3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-AFT09S200W02GNR3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)3(168시간)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서AFT09S200W02(G)NR3
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF FET
제조업체Freescale Semiconductor - NXP
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형LDMOS
주파수960MHz
이득19.2dB
전압 - 테스트28V
정격 전류-
잡음 지수-
전류 - 테스트1.4A
전력 - 출력56W
전압 - 정격70V
패키지/케이스OM-780-2
공급 장치 패키지OM-780-2
표준 포장 250
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)AFT09S200W02GNR3
관련 링크AFT09S200, AFT09S200W02GNR3 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
AFT09S200W02GNR3 의 관련 제품
0.10µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) CL21B104KBCNNNC.pdf
DIODE ZENER 13V 300MW SOT23 BZX84B13-7-F.pdf
I1-548-4 HARRIS DIP I1-548-4.pdf
MPC8272CVRMIBA266/200/66 MOTO BGA MPC8272CVRMIBA266/200/66.pdf
MKP400-D-25(B32344-D4252-A000) SIEMENS SMD or Through Hole MKP400-D-25(B32344-D4252-A000).pdf
L691 ST SOP16 L691.pdf
15R48T12G BB SMD or Through Hole 15R48T12G.pdf
TCSCS1A475MJAR SAMSUNG SMD TCSCS1A475MJAR.pdf
BYT12-300 ST SMD or Through Hole BYT12-300.pdf
VJ1812Y274KXAAT-274K VISHAY 1812 VJ1812Y274KXAAT-274K.pdf
12CN10L ORIGINAL TO-251 12CN10L.pdf
ALS30F102KE400 BHC DIP ALS30F102KE400.pdf