창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AFT09MS031NR1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AFT09MS031(G)NR1 | |
| 제품 교육 모듈 | RF Land Mobile Solutions | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 870MHz | |
| 이득 | 17.2dB | |
| 전압 - 테스트 | 13.6V | |
| 정격 전류 | - | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 500mA | |
| 전력 - 출력 | 31W | |
| 전압 - 정격 | 40V | |
| 패키지/케이스 | TO-270AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-270-2 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | AFT09MS031NR1TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AFT09MS031NR1 | |
| 관련 링크 | AFT09MS, AFT09MS031NR1 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
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![]() | CM309E9830400ABJT | 9.8304MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | CM309E9830400ABJT.pdf | |
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![]() | 1N6482HE3/96 | DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB | 1N6482HE3/96.pdf | |
![]() | IS 80C32-40PL | IS 80C32-40PL ORIGINAL PLCC | IS 80C32-40PL.pdf | |
![]() | IXB611P1 | IXB611P1 ORIGINAL DIP8 | IXB611P1.pdf | |
![]() | MAX3781UCM-D | MAX3781UCM-D MAX SMD or Through Hole | MAX3781UCM-D.pdf | |
![]() | M54922P | M54922P MIT DIP22 | M54922P.pdf | |
![]() | 3SB1132 | 3SB1132 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3SB1132.pdf | |
![]() | HD6433724D49F | HD6433724D49F JAPAN QFP | HD6433724D49F.pdf | |
![]() | 14 5805 024 000 829+ | 14 5805 024 000 829+ kyocera SMD or Through Hole | 14 5805 024 000 829+.pdf |