창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ADP1716ARMZ-1.0-R7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | ADP1716ARMZ-1.0-R7 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | ADP1716ARMZ-1.0-R7 | |
| 관련 링크 | ADP1716ARM, ADP1716ARMZ-1.0-R7 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
| RL80J102MDN1 | 1000µF 6.3V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 9 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | RL80J102MDN1.pdf | ||
![]() | 12102C683KAT2A | 0.068µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 12102C683KAT2A.pdf | |
![]() | 406C35B35M32800 | 35.328MHz ±30ppm 수정 13pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 406C35B35M32800.pdf | |
![]() | FA-238V 14.31818MB-G3 | 14.31818MHz ±50ppm 수정 20pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238V 14.31818MB-G3.pdf | |
![]() | MLG1005S0N8CTD25 | 0.8nH Unshielded Multilayer Inductor 1A 100 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | MLG1005S0N8CTD25.pdf | |
![]() | HMC580ST89ETR | RF Amplifier IC General Purpose 0Hz ~ 1GHz SOT-89-3 | HMC580ST89ETR.pdf | |
![]() | 65002BL | 65002BL WALDOM SMD or Through Hole | 65002BL.pdf | |
![]() | DM9R | DM9R ORIGINAL SOT-153 | DM9R.pdf | |
![]() | TO-B0603BC-RA | TO-B0603BC-RA OASIS ROHS | TO-B0603BC-RA.pdf | |
![]() | SA592,SA592D8 | SA592,SA592D8 S SOP8 | SA592,SA592D8.pdf | |
![]() | HHC1504 | HHC1504 TDK ZIP | HHC1504.pdf |