창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ACZRC5376B-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ACZRC5340B-G thru 5388B-G | |
| PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Comchip Technology | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 87V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 75옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 66V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AB, SMC | |
| 공급 장치 패키지 | DO-214AB,(SMC) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ACZRC5376B-G | |
| 관련 링크 | ACZRC53, ACZRC5376B-G 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | KTR10EZPF5230 | RES SMD 523 OHM 1% 1/8W 0805 | KTR10EZPF5230.pdf | |
![]() | ERJ-S1TJ624U | RES SMD 620K OHM 5% 1W 2512 | ERJ-S1TJ624U.pdf | |
![]() | MR3JT80L0 | RES CURRENT SENSE .08 OHM 3W 5% | MR3JT80L0.pdf | |
![]() | SMDA15CTBTC | SMDA15CTBTC TI SMD or Through Hole | SMDA15CTBTC.pdf | |
![]() | RF5C608 | RF5C608 RFMD QFP | RF5C608.pdf | |
![]() | A358S13TBF | A358S13TBF EUPEC SMD or Through Hole | A358S13TBF.pdf | |
![]() | 2186YM | 2186YM Microchip SOP-16 | 2186YM.pdf | |
![]() | CYD36S36V18-167BGXC | CYD36S36V18-167BGXC CYPRESS PBFREEBGA | CYD36S36V18-167BGXC.pdf | |
![]() | MAX3737ETJ | MAX3737ETJ MAXIM QFN36 | MAX3737ETJ.pdf | |
![]() | 1N3291R | 1N3291R MICROSEMI SMD | 1N3291R.pdf | |
![]() | DE1A-12VADE103 | DE1A-12VADE103 NAIS SMD or Through Hole | DE1A-12VADE103.pdf | |
![]() | KM68S2000LTGI-12L | KM68S2000LTGI-12L SAMSUNG TSSOP | KM68S2000LTGI-12L.pdf |