창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ACGRAT104L-HF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ACGRAT101L-HF thru 105L-HF | |
| PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Comchip Technology | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 800V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 1A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 800V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 무연 | |
| 공급 장치 패키지 | 2010 | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ACGRAT104L-HF | |
| 관련 링크 | ACGRAT1, ACGRAT104L-HF 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | 125.7000.5157 | FUSE AUTO 15A 125VDC BLADE MINI | 125.7000.5157.pdf | |
![]() | ATS480BSM-1 | 48MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ATS480BSM-1.pdf | |
![]() | 3EZ6.8D5/TR8 | DIODE ZENER 6.8V 3W DO204AL | 3EZ6.8D5/TR8.pdf | |
![]() | K4S51153LC-YC1L | K4S51153LC-YC1L SAMSUNG BGA | K4S51153LC-YC1L.pdf | |
![]() | GBU3503 | GBU3503 SEP/TSC/LT DIP-4 | GBU3503.pdf | |
![]() | V74AC821PS | V74AC821PS VTC DIP24 | V74AC821PS.pdf | |
![]() | MT4LC8M8P4TG-5F | MT4LC8M8P4TG-5F MT TSSOP32 | MT4LC8M8P4TG-5F.pdf | |
![]() | B57964S0202H000 | B57964S0202H000 EPCOS DIP | B57964S0202H000.pdf | |
![]() | HIF3F-20PA-2.54DS(71) | HIF3F-20PA-2.54DS(71) HIROSE SMD or Through Hole | HIF3F-20PA-2.54DS(71).pdf | |
![]() | SAM4080D | SAM4080D JDQ SMD or Through Hole | SAM4080D.pdf | |
![]() | MCP6234T-E/ST | MCP6234T-E/ST Microchip 14-TSSOP | MCP6234T-E/ST.pdf | |
![]() | M68AW128ML70ND6T | M68AW128ML70ND6T STMICRO SMD or Through Hole | M68AW128ML70ND6T.pdf |