창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-A3V64S40ETP-G6PZ SDR 64M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | A3V64S40ETP-G6PZ SDR 64M | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | A3V64S40ETP-G6PZ SDR 64M | |
| 관련 링크 | A3V64S40ETP-G6P, A3V64S40ETP-G6PZ SDR 64M 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | EEE-TC1E331P | 330µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 150 mOhm @ 100kHz 3000 Hrs @ 125°C | EEE-TC1E331P.pdf | |
![]() | C330C334M1U5CA | 0.33µF 100V 세라믹 커패시터 Z5U 방사 0.300" L x 0.150" W(7.62mm x 3.81mm) | C330C334M1U5CA.pdf | |
![]() | ERJ-S08F8060V | RES SMD 806 OHM 1% 1/4W 1206 | ERJ-S08F8060V.pdf | |
![]() | SD076-11-31-211 | Photodiode 660nm 5ns 59° | SD076-11-31-211.pdf | |
![]() | TAJD336K035RNJV | TAJD336K035RNJV AVX NA | TAJD336K035RNJV.pdf | |
![]() | DF11-24DS-2C(**) | DF11-24DS-2C(**) Hirose Connector | DF11-24DS-2C(**).pdf | |
![]() | LQW1608A56NG00T | LQW1608A56NG00T MURATA SMD or Through Hole | LQW1608A56NG00T.pdf | |
![]() | MGF4941 | MGF4941 ORIGINAL GD32 | MGF4941.pdf | |
![]() | MSA-0336-TR TEL:82766440 | MSA-0336-TR TEL:82766440 AGILENT SMD or Through Hole | MSA-0336-TR TEL:82766440.pdf | |
![]() | ATBM8846E | ATBM8846E Altobeam SMD or Through Hole | ATBM8846E.pdf | |
![]() | TCSCN1A476MCAR | TCSCN1A476MCAR SAMSUNG SMD or Through Hole | TCSCN1A476MCAR.pdf | |
![]() | BZV49-C30.115 | BZV49-C30.115 NXP SOD80 | BZV49-C30.115.pdf |