창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-A3R1GE4CFF-G8EPZ DDR2 1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | A3R1GE4CFF-G8EPZ DDR2 1G | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | A3R1GE4CFF-G8EPZ DDR2 1G | |
관련 링크 | A3R1GE4CFF-G8EP, A3R1GE4CFF-G8EPZ DDR2 1G 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | B43540A2108M87 | 1000µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 90 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43540A2108M87.pdf | |
![]() | CL21C911JBCNNNC | 910pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21C911JBCNNNC.pdf | |
![]() | C0603C561G5GACTU | 560pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C561G5GACTU.pdf | |
![]() | VJ2220A391JBAAT4X | 390pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220A391JBAAT4X.pdf | |
![]() | F339X136833MFP2B0 | 0.068µF Film Capacitor 330V 800V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.236" W (17.50mm x 6.00mm) | F339X136833MFP2B0.pdf | |
![]() | 2EG0322F-42D | 2EG0322F-42D ORIGINAL SMD or Through Hole | 2EG0322F-42D.pdf | |
![]() | SP3223EHCP | SP3223EHCP SIPEX DIP20 | SP3223EHCP.pdf | |
![]() | ADSP-21362WSQZ-2AA | ADSP-21362WSQZ-2AA FLORIDAMISC SMD or Through Hole | ADSP-21362WSQZ-2AA.pdf | |
![]() | CS4297-JQEP | CS4297-JQEP CRYSTAL QFP | CS4297-JQEP.pdf | |
![]() | SD453R25S20PC | SD453R25S20PC IR SMD or Through Hole | SD453R25S20PC.pdf | |
![]() | FAMG1211C | FAMG1211C STANLEY ROHS | FAMG1211C.pdf |