창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-A2T09VD250NR1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | A2T09VD250NR1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS(이중) | |
주파수 | 920MHz | |
이득 | 22.5dB | |
전압 - 테스트 | 48V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 1A | |
전력 - 출력 | 65W | |
전압 - 정격 | 105V | |
패키지/케이스 | TO-270-6 변형, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | TO-270WB-6A | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | A2T09VD250NR1 | |
관련 링크 | A2T09VD, A2T09VD250NR1 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | RN73C2A11R8BTDF | RES SMD 11.8 OHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A11R8BTDF.pdf | |
![]() | MRS25000C8669FCT00 | RES 86.6 OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C8669FCT00.pdf | |
![]() | R1610N-8A1-B503-0H03 | R1610N-8A1-B503-0H03 HT SMD or Through Hole | R1610N-8A1-B503-0H03.pdf | |
![]() | LLDZ15A0102100A | LLDZ15A0102100A ORIGINAL SMD or Through Hole | LLDZ15A0102100A.pdf | |
![]() | 712-1A12 | 712-1A12 TELEDYNE SMD or Through Hole | 712-1A12.pdf | |
![]() | 10000DC | 10000DC F DIP | 10000DC.pdf | |
![]() | 4804103-A | 4804103-A ALCATEL PLCC-68 | 4804103-A.pdf | |
![]() | MV64361-BAY1 | MV64361-BAY1 M BGA | MV64361-BAY1.pdf | |
![]() | MP7226AS | MP7226AS Exar SOP-20 | MP7226AS.pdf | |
![]() | TG110-XIR8N2RL | TG110-XIR8N2RL HALO SOP16 | TG110-XIR8N2RL.pdf | |
![]() | EP3C55U484C8NES | EP3C55U484C8NES ALTERA BGA484 | EP3C55U484C8NES.pdf | |
![]() | S3C2410A20O8O | S3C2410A20O8O SAMSUNG BGA | S3C2410A20O8O.pdf |