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NXP Semiconductors A2I25H060NR1

A2I25H060NR1
제조업체 부품 번호
A2I25H060NR1
제조업 자
제품 카테고리
RF FET
간단한 설명
IC RF LDMOS AMP
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내부 부품 번호EIS-A2I25H060NR1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)3(168시간)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서A2I25H060(G)NR1
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF FET
제조업체Freescale Semiconductor - NXP
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형LDMOS(이중)
주파수2.59GHz
이득26.1dB
전압 - 테스트28V
정격 전류-
잡음 지수-
전류 - 테스트26mA
전력 - 출력10.5W
전압 - 정격65V
패키지/케이스TO-270-17 변형, 플랫 리드(Lead)
공급 장치 패키지TO-270WB-17
표준 포장 500
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)A2I25H060NR1
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