창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-865060262011 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 865060262011 Drawing | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Wurth Electronics Inc | |
계열 | WCAP-ASLL | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 2200µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 10V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 5000시간(105°C) | |
작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 1.15A @ 100kHz | |
임피던스 | 66m옴 | |
리드 간격 | - | |
크기/치수 | 0.492" Dia(12.50mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.551"(14.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | 0.531" L x 0.531" W(13.50mm x 13.50mm) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - SMD | |
표준 포장 | 200 | |
다른 이름 | 732-8579-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 865060262011 | |
관련 링크 | 8650602, 865060262011 데이터 시트, Wurth Electronics Inc 에이전트 유통 |
![]() | 445C33K14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 8pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C33K14M31818.pdf | |
![]() | VS-SD200N16PC | DIODE STD REC 200A 1600V DO205AC | VS-SD200N16PC.pdf | |
![]() | NRV2012T1R0NGF | 1µH Unshielded Wirewound Inductor 1.65A 87.6 mOhm Max Nonstandard | NRV2012T1R0NGF.pdf | |
WSK1206R0260FEA | RES SMD 0.026 OHM 1% 1/4W 1206 | WSK1206R0260FEA.pdf | ||
![]() | 64620P | 64620P MIT DIP64 | 64620P.pdf | |
![]() | AT7C256 | AT7C256 ORIGINAL SOP-20L | AT7C256.pdf | |
![]() | CA06550-B100 | CA06550-B100 FUJITSU SMD or Through Hole | CA06550-B100.pdf | |
![]() | IDT6167L70 | IDT6167L70 IDT CDIP | IDT6167L70.pdf | |
![]() | ISPLSI1032E-100TL | ISPLSI1032E-100TL LATTICE QFP | ISPLSI1032E-100TL.pdf | |
![]() | HFCT-5201C | HFCT-5201C AGILENT SMD or Through Hole | HFCT-5201C.pdf | |
![]() | GB150152 | GB150152 KTRM SMD or Through Hole | GB150152.pdf | |
![]() | WS1M32V-XG3X | WS1M32V-XG3X WEDC 84CQFP | WS1M32V-XG3X.pdf |