창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-861221485018 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 861221485018 Drawing | |
주요제품 | Aluminum Electrolytic Capacitors | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Wurth Electronics Inc | |
계열 | WCAP-AIE8 | |
포장 | 트레이 | |
정전 용량 | 390µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 450V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 3000시간(85°C) | |
작동 온도 | -25°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 2.35A | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
크기/치수 | 1.181" Dia(30.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.890"(48.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 732-6663 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 861221485018 | |
관련 링크 | 8612214, 861221485018 데이터 시트, Wurth Electronics Inc 에이전트 유통 |
VJ0402D1R6DLBAP | 1.6pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D1R6DLBAP.pdf | ||
SIT3807AC-2-28NG | 1.544MHz ~ 49.152MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 33mA | SIT3807AC-2-28NG.pdf | ||
CDEP147NP-8R0MC-125 | 8µH Shielded Wirewound Inductor 11A 7.8 mOhm Max Nonstandard | CDEP147NP-8R0MC-125.pdf | ||
IHLP6767DZER1R0M01 | 1µH Shielded Molded Inductor 31.5A 2.66 mOhm Max Nonstandard | IHLP6767DZER1R0M01.pdf | ||
KNP100JR-73-0R68 | RES 0.68 OHM 1W 5% AXIAL | KNP100JR-73-0R68.pdf | ||
CMF5537K400FKRE | RES 37.4K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5537K400FKRE.pdf | ||
BE009 | BE009 NO NO | BE009.pdf | ||
DS1746WP-120 | DS1746WP-120 DALLAS PCM | DS1746WP-120.pdf | ||
BLM11A221SPT | BLM11A221SPT MURATA SMD or Through Hole | BLM11A221SPT.pdf | ||
RJ80530VY400256/SL | RJ80530VY400256/SL INTEL BGA479 | RJ80530VY400256/SL.pdf | ||
CN1J4T1001F | CN1J4T1001F KOA SMD or Through Hole | CN1J4T1001F.pdf |