창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-860010572002 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 860010572002 Drawing | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | Wurth Electronics Inc | |
| 계열 | WCAP-ATG8 | |
| 포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
| 정전 용량 | 10µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 35V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | - | |
| 수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 66mA @ 120Hz | |
| 임피던스 | - | |
| 리드 간격 | 0.079"(2.00mm) | |
| 크기/치수 | 0.197" Dia(5.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.492"(12.50mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | 732-8732-3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 860010572002 | |
| 관련 링크 | 8600105, 860010572002 데이터 시트, Wurth Electronics Inc 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1206Y392JBAAT4X | 3900pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206Y392JBAAT4X.pdf | |
![]() | SIT8008AI-21-XXX-000.FP0000 | 1MHz ~ 110MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V, 2.5 V ~ 3.3 V 4.5mA Enable/Disable, Standby | SIT8008AI-21-XXX-000.FP0000.pdf | |
![]() | 4116R-1-152LF | RES ARRAY 8 RES 1.5K OHM 16DIP | 4116R-1-152LF.pdf | |
![]() | 99D.99C.M360.M360-1 | 99D.99C.M360.M360-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 99D.99C.M360.M360-1.pdf | |
![]() | FDC05-12D15 | FDC05-12D15 ASTRODYNE DIP5 | FDC05-12D15.pdf | |
![]() | TAJC47MKF35V20% | TAJC47MKF35V20% N/A N A | TAJC47MKF35V20%.pdf | |
![]() | 74H240 | 74H240 ORIGINAL SOP-20 | 74H240.pdf | |
![]() | CM23105LDF9830 | CM23105LDF9830 PHIL DIP | CM23105LDF9830.pdf | |
![]() | WL2W335M10020BB180 | WL2W335M10020BB180 SAMWHA SMD or Through Hole | WL2W335M10020BB180.pdf | |
![]() | 74VHC245A | 74VHC245A F SOIC | 74VHC245A.pdf | |
![]() | RD2.7E | RD2.7E NEC DO-35 | RD2.7E.pdf | |
![]() | FW82801FR (QF89ES) | FW82801FR (QF89ES) INTEL BGA | FW82801FR (QF89ES).pdf |