창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-82531400 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 82531400 | |
설계 리소스 | Spice Model Library | |
3D 모델 | 82541xx0.igs 82541xx0.stp | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Wurth Electronics Inc | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
배리스터 전압 | 63V | |
배리스터 전압(통상) | 70V | |
배리스터 전압(최대) | 77V | |
전류 - 서지 | 200A | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 40VAC | |
최대 DC 전압 | 56VDC | |
에너지 | 1.0J | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT), MLCV | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | 732-2555-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 82531400 | |
관련 링크 | 8253, 82531400 데이터 시트, Wurth Electronics Inc 에이전트 유통 |
![]() | CRA04S04391R0JTD | RES ARRAY 2 RES 91 OHM 0404 | CRA04S04391R0JTD.pdf | |
![]() | 4310R-101-185 | RES ARRAY 9 RES 1.8M OHM 10SIP | 4310R-101-185.pdf | |
![]() | SVC211SPA-B-AL/I211 | SVC211SPA-B-AL/I211 ORIGINAL SMD or Through Hole | SVC211SPA-B-AL/I211.pdf | |
![]() | K6R4008V1D-JC08000 | K6R4008V1D-JC08000 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6R4008V1D-JC08000.pdf | |
![]() | 63C46LN | 63C46LN NS DIP-8 | 63C46LN.pdf | |
![]() | IN485 | IN485 F SMD or Through Hole | IN485.pdf | |
![]() | FT24C08A-USR-T | FT24C08A-USR-T FMD SMD or Through Hole | FT24C08A-USR-T.pdf | |
![]() | SAM5670 | SAM5670 AUK DIP-3 | SAM5670.pdf | |
![]() | LT1220AMJ8 | LT1220AMJ8 LT DIP | LT1220AMJ8.pdf | |
![]() | EIC5061. | EIC5061. EIC SIP12 | EIC5061..pdf | |
![]() | ME4407 | ME4407 ME SOP-8 | ME4407.pdf | |
![]() | N74F148D | N74F148D PHILIPS SOIC | N74F148D.pdf |