창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-74478233 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 74478233 Drawing | |
3D 모델 | WE-MK_0201_MK.igs WE-MK_0201_MK.stp | |
종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
제품군 | 고정 인덕터 | |
제조업체 | Wurth Electronics Inc | |
계열 | WE-MK | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
유형 | 다층 | |
소재 - 코어 | 세라믹 | |
유도 용량 | 33nH | |
허용 오차 | ±5% | |
정격 전류 | 200mA | |
전류 - 포화 | - | |
차폐 | 비차폐 | |
DC 저항(DCR) | 2.3옴최대 | |
Q @ 주파수 | 17 @ 800MHz | |
주파수 - 자기 공진 | 1.5GHz | |
등급 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 120°C | |
주파수 - 테스트 | 100MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 0201(0603 미터법) | |
크기/치수 | 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.013"(0.33mm) | |
표준 포장 | 15,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 74478233 | |
관련 링크 | 7447, 74478233 데이터 시트, Wurth Electronics Inc 에이전트 유통 |
![]() | C315C150J2G5CA | 15pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | C315C150J2G5CA.pdf | |
![]() | CMPZ5230B BK | DIODE ZENER 4.7V 350MW SOT23 | CMPZ5230B BK.pdf | |
![]() | RCH108NP-681K | 680µH Unshielded Inductor 550mA 1.4 Ohm Max Radial | RCH108NP-681K.pdf | |
![]() | CRCW1210665KFKTA | RES SMD 665K OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW1210665KFKTA.pdf | |
![]() | TNPW1206121RBEEN | RES SMD 121 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206121RBEEN.pdf | |
![]() | CMF5550R000FKEK70 | RES 50 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5550R000FKEK70.pdf | |
![]() | M51204 | M51204 MIT ZIP5 | M51204 .pdf | |
![]() | MTB75P05 | MTB75P05 VISHAY TO263 | MTB75P05.pdf | |
![]() | 5.58002.019/015 | 5.58002.019/015 rafi SMD or Through Hole | 5.58002.019/015.pdf | |
![]() | EDD2516AETA-5B-E DDR SDRAM 256M | EDD2516AETA-5B-E DDR SDRAM 256M ELPIDA TSOPII66 | EDD2516AETA-5B-E DDR SDRAM 256M.pdf | |
![]() | M5278L56M600C | M5278L56M600C MITSUBISHI SMD or Through Hole | M5278L56M600C.pdf | |
![]() | K78U05-500L | K78U05-500L MORNSUN SMD or Through Hole | K78U05-500L.pdf |