창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-744303015 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 744303015 | |
| 3D 모델 | WE-HCM 1050.igs WE-HCM 1050.stp | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | Wurth Electronics Inc | |
| 계열 | WE-HCM | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | 권선 | |
| 소재 - 코어 | 망간 아연 페라이트 | |
| 유도 용량 | 155nH | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전류 | 31A | |
| 전류 - 포화 | 42A | |
| 차폐 | 차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 0.325m옴 | |
| Q @ 주파수 | - | |
| 주파수 - 자기 공진 | 110MHz | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
| 주파수 - 테스트 | 100kHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 비표준 | |
| 크기/치수 | 0.402" L x 0.276" W(10.20mm x 7.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.197"(5.00mm) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 732-3700-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 744303015 | |
| 관련 링크 | 74430, 744303015 데이터 시트, Wurth Electronics Inc 에이전트 유통 | |
| LNY2G392MSEF | 3900µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 2000 Hrs @ 85°C | LNY2G392MSEF.pdf | ||
![]() | HFU100KBFED0KR | 10pF 6000V(6kV) 세라믹 커패시터 N750 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | HFU100KBFED0KR.pdf | |
![]() | STU9HN65M2 | MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK | STU9HN65M2.pdf | |
![]() | ADUM5200CRWZ | General Purpose Digital Isolator 2500Vrms 2 Channel 25Mbps 25kV/µs CMTI 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | ADUM5200CRWZ.pdf | |
![]() | RC0402JR-071R8L | RES SMD 1.8 OHM 5% 1/16W 0402 | RC0402JR-071R8L.pdf | |
![]() | ERTJ1VV473K | ERTJ1VV473K INFNEON SMD or Through Hole | ERTJ1VV473K.pdf | |
![]() | LM19AH/883Q | LM19AH/883Q NS CAN3 | LM19AH/883Q.pdf | |
![]() | GC80503CSM-266 | GC80503CSM-266 INTEL BGA | GC80503CSM-266.pdf | |
![]() | LE28DW1621T-80FMPB | LE28DW1621T-80FMPB ORIGINAL QFP | LE28DW1621T-80FMPB.pdf | |
![]() | DN2535N3-G. | DN2535N3-G. SUPERTEX TO-92 | DN2535N3-G..pdf | |
![]() | PEEL18CV8ZPI-25C | PEEL18CV8ZPI-25C INFINEON DIP | PEEL18CV8ZPI-25C.pdf | |
![]() | 2SC945/JM | 2SC945/JM NEC TO-92 | 2SC945/JM.pdf |