창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-6N139-000E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 6N138-39, HCPL-0700/01, HCNW138/39 | |
PCN 설계/사양 | Mult Device Design Changes 10/Nov/2015 Molding Chg 08/Feb/2016 | |
PCN 포장 | Multiple Devices Marking/Labeling 07/Aug/2013 Marking/Labeling Revision B 14/Jan/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 절연기 | |
제품군 | 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력 | |
제조업체 | Broadcom Limited | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | * | |
채널 개수 | 1 | |
전압 - 분리 | 3750Vrms | |
전류 전달비(최소) | 500% @ 1.6mA | |
전류 전달비(최대) | 2600% @ 1.6mA | |
턴온/턴오프(통상) | 200ns, 2µs | |
상승/하강 시간(통상) | - | |
입력 유형 | DC | |
출력 유형 | 베이스 포함 달링턴 | |
전압 - 출력(최대) | 18V | |
전류 - 출력/채널 | 60mA | |
전압 - 순방향(Vf) 통상 | 1.4V | |
전류 - DC 순방향(If) | 20mA | |
Vce 포화(최대) | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 8-DIP(0.300", 7.62mm) | |
공급 장치 패키지 | 8-DIP | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 516-1601-5 6N139000E | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 6N139-000E | |
관련 링크 | 6N139-, 6N139-000E 데이터 시트, Broadcom Limited 에이전트 유통 |
GRM31A7U2J100JW31D | 10pF 630V 세라믹 커패시터 U2J 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM31A7U2J100JW31D.pdf | ||
C0402C0G1C110G | 11pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | C0402C0G1C110G.pdf | ||
SIT8008ACR1-28S | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 4.5mA Standby | SIT8008ACR1-28S.pdf | ||
TP3040J/AJ/-1 | TP3040J/AJ/-1 NS DIP | TP3040J/AJ/-1.pdf | ||
TISTLC27L4CPWR | TISTLC27L4CPWR TIS DIPSOP | TISTLC27L4CPWR.pdf | ||
RC0402FR-07 12K4L | RC0402FR-07 12K4L YAGEO SMD or Through Hole | RC0402FR-07 12K4L.pdf | ||
350.00+ | 350.00+ ORIGINAL 3P | 350.00+.pdf | ||
78RF80 | 78RF80 IR SMD or Through Hole | 78RF80.pdf | ||
WCTX-DOL | WCTX-DOL MX QFP | WCTX-DOL.pdf | ||
TLVAIC3101IRHBTG4 | TLVAIC3101IRHBTG4 TI QFN-32 | TLVAIC3101IRHBTG4.pdf |