창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-5962-9858501QFA(DS26LV32AW-QML) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 5962-9858501QFA(DS26LV32AW-QML) | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | CPAK16PIN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 5962-9858501QFA(DS26LV32AW-QML) | |
| 관련 링크 | 5962-9858501QFA(DS, 5962-9858501QFA(DS26LV32AW-QML) 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
| .jpg) | CC0603JRNPO9BN331 | 330pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CC0603JRNPO9BN331.pdf | |
|  | T491A684K025AH | 0.68µF Molded Tantalum Capacitors 25V 1206 (3216 Metric) 10 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | T491A684K025AH.pdf | |
|  | 416F360X3IAT | 36MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F360X3IAT.pdf | |
|  | IMC1812BN3R9J | 3.9µH Unshielded Wirewound Inductor 330mA 900 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812BN3R9J.pdf | |
|  | RC0100FR-079M53L | RES SMD 9.53M OHM 1% 1/32W 01005 | RC0100FR-079M53L.pdf | |
|  | G30N60RUFD | G30N60RUFD IR TO-3P | G30N60RUFD .pdf | |
|  | 267M4001157KR377 | 267M4001157KR377 MATSUO SMD | 267M4001157KR377.pdf | |
|  | UPD789071MC-031 | UPD789071MC-031 RENESAS SSOP | UPD789071MC-031.pdf | |
|  | 750/128 | 750/128 ORIGINAL SMD or Through Hole | 750/128.pdf | |
|  | CXP83417-142Q | CXP83417-142Q Sony QFP80 | CXP83417-142Q.pdf | |
|  | AC1-B0-34-630-131-D | AC1-B0-34-630-131-D CarlingTechnologies 30 A ONE POLE | AC1-B0-34-630-131-D.pdf | |
|  | II-EVB-363MS-220 | II-EVB-363MS-220 ConnectOne SMD or Through Hole | II-EVB-363MS-220.pdf |